电能质量分析仪的子系统
从下图可以看到长虹PT50718等离子电视的额定消耗功率为380W哪么在实际使用中有没有这么大呢？此次我测试的等离子电视仍然是50英寸的大平板长虹PT50718首先。
绝大多数失效管属发射结烧毁短路HIOKI 3453数字兆欧表。用显微镜观察解剖的失效管子时，节能灯损坏、寿命短的主要原因是大功率开关三极管的失效。通过对失效功率管的解剖分析。可以见到发射区焊位附近有明显的烧毁发黑斑点（参见图1这是典型的烧毁现象。
同时也将对比各种传统的功率器件电能质量分析仪，当代功率半导体器件大致可以分成三类：一是传统的各类晶闸管；二是近二十年来发展起来的功率MOSFET及其相关器件；三是由上述两类器件发展起来的特大功率器件。本文将重点讨论以功率MOSFET为主体的现代功率半导体器件。探讨相互间的联系及其对电力电子技术发展的影响。
甚至远溯到上一世纪四十年代的氧化亚铜和硒整流器。但促使一门新学科—电力电子学诞生的却应归功于晶闸管（Thyristor这个大家族电能质量分析仪安装与调试，功率半导体器件的历史可以追溯到早期的半导体整流器件。特别是具有较强逆变能力的快速和可关断晶闸管以及大功率双极性晶体管。因为电力电子技术是一门关于功率变换的技术。只有当逆变用器件有一定的发展后电能质量分析仪，才能形成一门专门的学科。
子技术取得更宽广的发展领域并加快了发展过程。不同应用范围通常采用不同的控制集成电路。例如近期发展的电机调速用的软启动IC电流采样IC驱动加保护IC等等。
9结合不同应用发展不同特点的MOSFET例
对线路中的另一MOSFET则在兼顾Rdson同时还心须使其具有很低的Qg另一个例子是对航天应用的MOSFET必须采取特殊工艺使其能耐辐射电能质量分析仪。即所谓Radiation?hardenRA D?HA RD功率MOSFET火星上的移动车中早已采用了该类器件。如为同步整流发展了低电压的具有极小Rdson器件。
10发展组合型器件甚至子系统。例如在DC/
可采用FETKY以代替MOSFET和一个肖特基。现在己把FETKY和另一个MOSFET组合在一起，DC更换中。被称为双FETKYDualFETDY而最新的多芯片模块MCM也己出现，那是DualFETKY基础上又把脉宽调制集成电路PWMIC也组合在内。再进一步的发展将把MCM再集成在一个更大的厚膜电路内，说明器件的发展正逐步趋向于制造愈益完整的子
由于电流热效应电能质量分析仪设计步骤，三极管工作时。会消耗一定的功率，这就是耗散功率。耗散功率主要由集电极耗散功率组成：
PT≈VceIc即PT≈PCM
三极管的工作电流受温度的影响很大。PN结的正向电流与温度的关系为：知道。
I∝eEgqV/kT
耗散功率转化为热，当三极管工作时。使集电结结温升高，集电结结电流进一步加大，会造成恶性循环使管子烧毁。这种情况叫热击穿。使管子不发生热击穿的最高工作温度定义为最高结温。硅材料PN结的最高结温是
还提到关于能耗的两种说法：第一种说话主要是以标注的额定功耗为依据，本文来头。表示等离子功耗太大，52英寸就达到400-500W相对于一个发电机电能质量分析仪，功耗恐怖得没发用。
表示由于等离子电视是采用主动发光显示方式，第二种说法是从等离子的原理进行解释。所以其每一个像素点都相当于一个小灯泡，那么在显示暗部场景画面的时候，实际上等离子的部分像素点是直接关闭的而不是像液晶那样只能依靠长明的背光灯HIOKI 3451兆欧表，这样一来功耗就就会大大减少，甚至比液晶电视还要省电。
相信大家对这两种说法一定也会有一些自己的意见电能质量分析仪长时间运行时。看完对播放有线电视节目测试之后。
等离子电视播放有线电视节目能耗测试。 | 
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