电能质量分析仪的技术改进
如笔记本电脑和工业/通用系统中的适配器和负载开关，TrenchFETGenIIIP沟道MOSFET有助于在各种应用中节约能源。以及手机、智能手机、PDA 和MP3播放器等便携式设备的充电电路中的负载开关。每平方英寸装入十亿个单元的工艺实现了低导通电阻电能质量分析仪，这项重大技术突破意味着更低的传导损耗、节省功耗和延长两次充电之间的电池寿命。下表总结了目前发布的TrenchFETGenIIIP沟道器件的主要规格。
分别负责音频信号正半周与负半周的电压、电流转换放大，IC1与T1IC2与T2分别组成电流负反馈吸收式恒流源。使T3T4基极电流只受IC1IC2输入电压控制，也就是说，只要运放输入为一恒压值，末级管T3T4集电极流过电流也为一恒定值。W1W2多圈电位器)分别用来调整T3T4静态电流与输出零点，IC3与R1R2R5组成准电流负反馈电路，只要相应改变R3R4或R2R6阻值，就能改变增益大小。该功放保护电路(图2采取切断总电源方式，优点是当功放发生故障时，不仅保护了扬声器电能质量分析仪，同时还保护了末级管。工作原理是当接通电源时，T6得电导通，J吸合自保，电源维持接通状态。当功放输出零点直流成分大于±0.24V时，IC4或IC5输出一高电平，因而T5饱和导通，T6截止，继电器J释放，切断了总电源，从而实现对扬声器和功放管的保护功能。运放驱动的实用功率放大器电路：
本文设计了以TMS320F240为核心的数字控制系统，针对以上的控制方案。硬件框图如图3所示。从图中可以看到控制系统主要包括以下几部分：CPU及其外围电路，信号检测与调理电路，驱动电路和保护电路。其中，信号检测与调理单元主要完成强弱电隔离，电平转换和信号放大及滤波等功能，以满足DSP控制系统对各路信号电平范围和信号质量的要求。
这对于某些产品而言非常实用，以往的SMPS控制器中直接集成了驱动器。但是由于这种驱动器的输出峰值电流一般小于1A 所以应用范围比较有限。另外电能质量分析仪，驱动器发出的热还会造成电压基准的漂移。
人们研制出了功能更加完善的SMPS控制器。这些新型控制器全部采用精细的CMOS工艺，随着市场对“智能型”电源设备的呼声日渐强烈。供电电压低于12V集成的MOSFET驱动器同时可作为电平变换器使用，用来将TTL电平转换为MOSFET驱动电平。以TC4427A 为例，该器件的输入电压范围(VIL=0.8VVIH=2.4V和输出电压范围(与最大电源电压相等，可达18V满足端到端(rail-torail输出的要求。抗锁死能力是一项非常重要的指标，因为MOSFET一般都连接着感性电路，会产生比较强的反向冲击电流。TC4427型MOSFET驱动器的输出端可以经受高达0.5A 反向电流而不损坏，性能不受丝毫影响。
OnSemi公司的NCP1654一个用于连续导电模式（CCM功率因数校正步升式预转换器的控制器。以固定的频率模式控制电源开关导电时间（PWM并依赖于瞬时线圈电流。
实现了外部组件数量的最小化并极大简化了PFC设备。还具有高安全性保护特性，电路采用SO8封装结构。使得NCP1654成为一个用于耐用、紧凑型PFC控制器的驱动器，就像一个高效的输入电源失控箝位电路。
且无须其他解决方案所需的次极端电压或电流反馈电路。对设计人员而言电能质量分析仪，这种PSRPWM控制器可实现非常精确的CC/CV调节。电池充电器应用中采用次极端反馈电路来进行CV/CC输出调节的传统方案已不再有吸引力，因为其成本高，器件数目多，这意味着需要更多的板上空间和更大的充电器。此外，由于次级端元件会产生功耗，能效也受到不利影响。
还有原先只有在No.33及No.33H上才使用的材料和技术。随着扬声器的不断发展,对放大器的要求也越来越高----并会毫不留情地将设计欠佳的缺点暴露出来。MarkLevinsonNo.334No.335和No.336双单声道后级凝聚了数千小时的设计、聆听与测试。
且分别与No.331No.332和No.333直接相关。先前被作No.334No.335和No.336300单声道后级系列的第二代产品。
进行了相当程度的技术改进。而这些改进又几乎影响到放大器的每一级电能质量分析仪，为音效基准的MarkLevinson设计上。并提高了器材的
音响性和耐用性。
该器件在4.5V和2.5V电压下的导通电阻降低了42%1.8V电压下的导通电阻则降低了46%TrenchFET?GenIIIP沟道技术在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
VishaiIntertechnology,日前。Inc.NYSE股市代号：VSH宣布，推出一款业界最低导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFET---SiB457EDK这是以往1.6mm1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的新型SiB457EDK采用了TrenchFET?GenIIIP沟道技术电能质量分析仪，该技术利用自对准工艺制程，每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。该项前沿技术可实现极其精细、亚微米线宽工艺，将目前业界P沟道MOSFET最低导通电阻减小了将近一半。 |
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